A Universal, Highly Stable Dopant System for Organic Semiconductors Based on Lewis-Paired Dopant Complexes

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Revista:
ACS Energy Letters

ISSN: 2380-8195

Ano de publicación: 2024

Volume: 9

Número: 7

Páxinas: 3567-3577

Tipo: Artigo

DOI: 10.1021/ACSENERGYLETT.4C01278 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
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